| PART |
Description |
Maker |
| 2N6796LCC4 |
N-Channel Power MOSFET（Vdss00VId(cont).4A，Rds(on).18ΩN沟道功率型MOS场效应管（Vdss00VId(cont).4A，Rds(on).18Ω
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SEME-LAB[Seme LAB]
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| IRFM250 |
N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):27.4A,Rds(on):0.100Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:200V,Id(cont):27.4A,Rds(on):0.100Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：200伏，身份证（续）7.4A，的Rds（on）：0.100Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本00伏，身份证（续）7.4A时，RDS（对）：0.100Ω））
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Electronic Theatre Controls, Inc.
SEME-LAB
Seme LAB
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| IRF054SMD |
N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：60V的，身份证（续）5A条，的Rds（on）：0.027Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本0V的，身份证（续）5A条，的Rds（on.027Ω））
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SemeLAB
Seme LAB
International Rectifier
http://
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| IRF240SMD |
N.CHANNEL POWER MOSFET
N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.18Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:200V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.18Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：200伏，身份证（续）3.9A，的Rds（on）：0.18Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本00伏，身份证（续）3.9A时，RDS（对）：0.18Ω））
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SemeLAB
SEME-LAB[Seme LAB]
Air Cost Control
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| 54104-3292 |
0.5 FPC Conn Zif Hsg Assy for SMT RA Upr Cont
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Molex Electronics Ltd.
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| MC44604 |
High Safety Standby Ladder Mode GreenLine PWM Cont
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ON Semiconductor
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| APT50M60JVR |
Volts:500V RDS(ON)0.06Ohms ID(cont):63Amps|MOSFETs 电压00V电压的RDS（ON.06Ohms身份证（续）63安培| MOSFET
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Yageo, Corp.
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| APT50M50JLL |
Volts:500V RDS(ON):0.05Ohms ID(cont:)79Amps|MOSFETs 电压00V电压的RDS（ON）：0.05Ohms编号（续：）七九安培| MOSFET
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Microsemi, Corp.
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| APT13GP120B |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):13Amps|Ultrafast IGBT Family 电压200伏室的Vceon）：3.6V的身份证（续）：一三安培|超快IGBT的家
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Commonwealth Industrial, Corp.
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| 2N5484 2N5485 2N5486 SST5484 SST5485 SST5486 |
High Frequency/General Purpose
N-Channel JFETs
MOSFET, P SO-8MOSFET, P SO-8; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:P; Voltage, Vds max:20V; Case style:SO-8; Current, Id cont:4.5A; Current, Idm pulse:-20A; Power, Pd:1.3W; Resistance, Rds on:0.04R; SMD:1; Charge, gate p
MOSFET, P SO-8MOSFET, P SO-8; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:P; Voltage, Vds max:20V; Case style:SO-8; Current, Id cont:5.6A; Current, Idm pulse:-30A; Power, Pd:1.25W; Resistance, Rds on:0.025R; SMD:1; Charge, gate p
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Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology,Inc.
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| 19003-0045 19023-0056 |
.250X.032 94V-0 FEM. FIQD CONT (BB-2206V 2 mm2, PUSH-ON TERMINAL
MALE FIQD 14-16 AWG LOOSE 2 mm2, TAB TERMINAL
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Molex, Inc.
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