| PART |
Description |
Maker |
| Q65110A2465 SFH4250 SFH425012 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4058 Q65110A9218 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH435012 Q65110A2091 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703-Q1095 SFH487-2 Q62703-Q2174 SFH487 |
From old datasheet system
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 镓铝砷红外光Lumineszenzdiode 880nm红外线发射器880镓铝砷纳
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
SIEMENS A G
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| SFH405 SFH40512 Q62702P0835 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| Q62703Q0517 |
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2742 SFH7222 SFH722212 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und grüne GaP-LED (565 nm)
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OSRAM GmbH
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| SFH4239 Q65110A9549 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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