| PART |
Description |
Maker |
| Q65111A0128 SFH4250S |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4557 Q65111A1142 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4253 Q65110A6657 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4235 Q65110A8900 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2467 |
10IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703-Q1095 SFH487-2 Q62703-Q2174 SFH487 |
From old datasheet system
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 镓铝砷红外光Lumineszenzdiode 880nm红外线发射器880镓铝砷纳
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
SIEMENS A G
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| SFH405 SFH40512 Q62702P0835 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH40903 SFH409 SFH409-2 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH4501 SFH4503 SFH4502 |
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehuse
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Electronic Theatre Controls, Inc.
List of Unclassifed Manufacturers
ETC[ETC]
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| SFH4239 Q65110A9549 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| MCP6L92T-E_MS MCP6L92T-E_OT MCP6L92T-E_SL MCP6L92T |
10 MHz, 850 μA Op Amps
10 MHz, 850 楼矛A Op Amps
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Microchip Technology
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