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LZ34B10
LZ34B10
DESCRIPTION
The LZ34B10 is a 1/4-type (4.5 mm) solid-state image sensor that consists of PN photo-diodes and color CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) devices. The sensor further includes a timing generator (TG), a correlated double sampling (CDS) circuit, an auto gain control (AGC) circuit and an analog-to-digital converter (ADC) circuit. With approximately 350 000 pixels (703 horizontal x 499 vertical), the sensor provides a stable digital color image with extremely low power consumption.
1/4-type Color CMOS Image Sensor with 350 k Pixels
* Number of optical black pixels - Horizontal : 24 front and 24 rear - Vertical : 3 front and 3 rear * Pixel pitch : 5.6 m (H) x 5.6 m (V) * R, G, and B primary color mosaic filters * Image inversion function (horizontally and/or vertically) * Power save mode * Monitoring mode : 60 fields/s * Analog output and 8-bit digital output * Variable gain control * Variable electronic shutter (1/30 to 1/15 750 s) * Single +3.3 V power supply * Package : 36-pin WLCC* (WLCC036-N-R625)
FEATURES
* * * * Progressive scan Square pixel Compatible with VGA standard Number of effective pixels : 655 (H) x 493 (V)
D
DSP JPEG USB I/F
BLOCK DIAGRAM
R P
LR38602
CDS 8-BIT ADC AGC MICRO COMPUTER
O
Under development Digital Signal Processor : 350 mW U/Y/V/Y Digital Output To PC via USB E2PROM
Power Consumption CMOS Image Sensor : 60 mW
LZ34B10 or LZ0P3811*
CMOS IMAGE SENSOR
N
E
Supply Voltage 3.3 V
W
TG
LU831801 : 14 mW
* Built-in lens CMOS image sensor
In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that may occur in equipment using any SHARP devices shown in catalogs, data books, etc. Contact SHARP in order to obtain the latest device specification sheets before using any SHARP device.
1
U
C
* Window Leadless Chip Carrier
T
PACKAGES FOR CCD AND CMOS DEVICES
PACKAGE
36 WLCC (WLCC036-N-R625)
1.150.10 15.600.10 13.300.10 10.000.10 9.800.05 (2) Center of effective imaging area 1.150.10
(Unit : mm)
2.100.20
2-O1.30
0.20
10.800.05 (2)
0.65
11.000.10
6.000.075 CMOS
12.000.10
1.60 1.60
Rotation error of die : = 1.0MAX. ( 1 : Effective imaging area) ( 2 : Lid's size)
Center of die 7.800.075 A 3.120.20 2.900.10
2-R1.050.20 1.860.10
Refractive index : nd = 1.5 0.04 (1)
A
0.700.05 (2)
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1.200.12
1.260.10
,,,,,,,,,,,, Glass Lid ,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,, Package ,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,, ,,,,,, CMOS ,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,
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0.40TYP. A'
P-1.00TYP.
A' 0.04 (1)
2

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