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Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 2706 N 16...22 T vj = - 40C...Tvj max N Vorlaufige Daten Preliminary Data VDRM , VRRM VDSM VRSM ITRSMSM 1600, 1800 2000, 2200 1600, 1800 2000, 2200 1700. 1900 2100, 2300 5800 2710 3700 54000 50000 14580 12500 200 V V V A A A A A As*10 As*10 A/s Elektrische Eigenschften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak foward off-state voltage Ruckwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMSM on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral It-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlakennlinie on-state voltage vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1 ) + D x iT Zundstrom gate trigger current Zundspannung gate trigger voltage Nicht zundener Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zundene Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zundverzug gate controlled delay time T vj = Tvj max, iT = 11000 A T vj = Tvj max, iT = 3000 A T vj = Tvj max T C = 85C T C = 61C T vj = 25C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms DIN IEC 747-6 f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A diG/dt = 1 A/s T vj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 5.Kennbuchstabe / 5th letter F T vj = - 40C...Tvj max T vj = + 25C...Tvj max ITAVM ITSM It (diT/dt)cr (dvD/dt)cr 1000 V/s vT VT(TO) rT A=1,09532 B=8,255E-05 C=-7,06279E-02 D=9,53181E-03 IGT VGT IGD VGD IH max. max. 2,35 1,30 0,9 0,125 V V V m T vj = Tvj max T vj = Tvj max T vj = 25C, vD = 6 V max. max. max. max. max. max. max. 300 2,5 10 5 0,25 300 1500 mA V mA mA mV mA mA T vj = 25C, vD = 6V T vj = Tvj max, vD = 6 V T vj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM T vj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM T vj = 25C, vD = 6 V, RA = 5 T vj = 25C, vD = 6 V, RGK>= 10 IL iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s tg = 20 s T vj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 747-6 T vj = 25C iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s iD, iR tgd max. max. 250 4 mA s SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther A 111/99 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 2706N 16 ... 22 T vj = Tvj max, iTM=ITAVM vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 As 4. Kennbuchstabe / 4th letter O N Vorlaufige Daten Preliminary Data tq Elektrische Eigenschften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutatet turn-off time typ. 300 s Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resitance, junction to case Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, =180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, =180sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180sin Kathode / cathode, DC RthJC max. max. max. max. max. max. RthCK max. 0,0025 max. 0,0050 T vj max T c op T stg 125 -40...125 -40...150 C/W C/W C C C 0,0085 0,0078 0,0152 0,0146 0,0183 0,0169 C/W C/W C/W C/W C/W C/W Ubergangs- Warmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate Anprekraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance DIN 40040 Seite 3 page 3 F G typ. 42...95 1200 33 C 50 kN g mm f = 50Hz m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther A 111/99 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 2706 N 16 ... 22 N SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther A 111/99 Zn. Nr.: 1 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 2706 N 16...22 N 16.000 14.000 12.000 10.000 iT [A] 8.000 6.000 4.000 2.000 0 0,5 1 1,5 vT [V] 2 2,5 3 Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther A 111/99 Z. Nr.: 2 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor Phase Control Thyristor T 2706 N 18 ... 22 N Kuhlung cooling Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1 0,000030 0,000055 2 0,00039 0,00392 3 0,00123 0,0152 4 0,0028 0,2068 5 0,00338 1,0914 6 7 beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Rthn [C/W] n [s] Rthn [C/W] 0,000009 0,000371 0,000010 0,001820 0,0019 0,00951 0,0013 0,135 0,00434 0,00668 0,347 1,54 n [s] Rthn [C/W] 0,000032 0,000728 0,000035 0,00341 0,00302 0,0215 n max 0,00802 0,135 0,0051 1,11 n [s] Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = Rthn ( 1 - EXP ( - t / n )) n=1 SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther A 111/99 Seite/page 5 |
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