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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prufspannung insulation test voltage tp = 1 ms TC = 80 C TC = 25 C tP = 1 ms, TC=80C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 400 800 800 V A A A
TC=25C, Transistor
Ptot
3120
W
VGES
+/- 20V
V
IF
400
A
IFRM
800
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125C
2 It
45.000
A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25C IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125C IC = 18mA, VCE = VGE, Tvj = 25C VGE(th) VCE sat
min.
4,5
typ.
2,6 3,1 5,5
max.
3,2 3,6 6,5 V V V
VGE = -15V ... +15V
QG
-
5,0
-
C
f = 1MHz,Tvj = 25C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
29
-
nF
f = 1MHz,Tvj = 25C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25C VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25C
Cres ICES
-
1,3 0,1 12 -
1
nF mA mA
IGES
-
200
nA
prepared by: Regine Mallwitz approved by: Christoph Lubke; 28.11.2000
date of publication: 28.11.2000 revision: 2 (Series)
1(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 125C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 125C Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 125C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 400A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 3,9, Tvj = 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschluverhalten SC Data Modulinduktivitat stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlusse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 3,9, Tvj = 125C, LS = 60nH IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 3,9, Tvj = 125C, LS = 60nH tP 10sec, VGE 15V, RG = 3,9 TVj125C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE *dI/dt ISC LsCE 1600 15 A nH Eoff 135 mWs Eon 170 mWs tf 0,03 0,03 s s td,off 0,8 0,9 s s tr 0,1 0,1 s s td,on 0,1 0,1 s s
min.
typ.
max.
RCC'+EE'
-
0,5
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 25C IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 125C IF = 400A, - diF/dt = 4000A/sec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125C Sperrverzogerungsladung recovered charge IF = 400A, - diF/dt = 4000A/sec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 400A, - diF/dt = 4000A/sec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125C Erec 60 110 mWs mWs Qr 125 200 As As IRM 430 500 A A VF
min.
-
typ.
2,1 2,1
max.
2,5 2,5 V V
2(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per Module dPaste 50m / dgrease 50m RthCK RthJC -
typ.
-
max.
0,04 0,075 0,012 K/W K/W K/W
Tvj
-
-
150
C
Top
-40
-
125
C
Tstg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M6 max. 5 Nm Al2O3
20
mm
11
mm
max. max. G 420
2 5 Nm g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE)
VGE = 15V
800 700 600
IC [A]
500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tj = 25C Tj = 125C
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical)
800 700 600
VGE = 19V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V
I C = f (VCE)
Tvj = 125C
IC [A]
500 400 300 200 100 0 0,0 0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
4(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE)
VCE = 20V
800 700 600
Tj = 25C Tj = 125C
IC [A]
500 400 300 200 100 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
800 700 600
Tj = 25C Tj = 125C
I F = f (VF)
IF [A]
500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF [V]
5(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) Rgon = Rgoff =3,9, VCE = 900V, Tj = 125C Switching losses (typical)
700 600 500 E [mJ] 400 300 200 100 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800
Eoff Eon Erec
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
400 350 300 250 E [mJ] 200 150 100 50 0 0 2 4 6 8
Eoff Eon Erec
E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)
IC = 400A , VCE = 900V , Tj = 125C
10
12
14
16
18
20
RG []
6(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance
1
ZthJC = f (t)
0,1
ZthJC [K / W]
0,01
Zth:Diode Zth:IGBT
0,001 0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec] i ri [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [sec]
: Diode 1 4,46 0,0047 13,96 0,0062 2 12,91 0,0356 27,66 0,0473 3 19,24 0,0613 27,66 0,0473 4 3,39 0,4669 5,73 0,2322
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
850 800 750 700 650 600 550 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0 200
Rg = 3,9 Ohm, T vj= 125C
IC,Modul IC,Chip
IC [A]
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7(8)
BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 400 GA 170 DLC
8(8)
BSM400GA170DLC
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