technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische vorw?rts- und rckw?rts-spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v drm , v rrm 1200, 1400 v repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 v vorw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v dsm 1200, 1400 v non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 v rckw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1300, 1500 v non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 v durchla?strom-grenzeffektivwert (pro element) i trmsm 100 a rms on-state current (per chip) effektivstrom (pro phase) t c = 85c i rms 115 a rms current (per arm) t c = 73c 141 a t a = 45c, km 11 38 a t a = 45c, km 33 55 a t a = 35c, km 14 (v l = 45l/s) 97 a t a = 35c, km 33 (v l = 90l/s) 115 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t p = 10ms i tsm 1000 a surge current t vj = t vj max , t p = 10ms 870 a grenzlastintegral t vj = 25c, t p = 10ms i2t 5000 a2s i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 3780 a2s kritische stromsteilheit din iec 747-6 (di/dt) cr 120 a/s critical rate of rise of on-state current f = 50hz, i gm = 0,6a, di g /dt = 0,6a/s kritische spannungssteilheit t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm (dv/dt) cr critical rate of rise of off-state voltage 8. kennbuchstabe / 8th letter f 1000 v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i t = 150a v t max. 1,81 v on-state voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (t0) 0,95 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj =t vj max r t 4,3 m w slope resistance zndstrom t vj = 25c, v d = 6v i gt max. 150 ma gate trigger current zndspannung t vj = 25c, v d = 6v v gt max. 2,5 v gate trigger voltage nicht zndender steuerstrom t vj = t vj max , v d = 6v i gd max. 5,0 ma gate non-trigger current t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm max. 2,5 ma nicht zndende steuerspannung t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,2 v gate non-trigger voltage haltestrom t vj = 25c, v d = 6v, r a = 5 w i h max. 200 ma holding current einraststrom t vj = 25c, v d = 6v, r gk 3 20 w i l max. 600 ma latching current i gm = 0,6a, di g /dt = 0,6a/s, t g = 10s vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom t vj = t vj max i d , i r max. 10 ma forward off-state and reverse currents v d = v drm , v r = v rrm zndverzug din iec 747-6 t gd max. 1,2 s gate controlled delay time t vj = 25c, i gm = 0,6a, di g /dt = 0,6a/s mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 a /99 seite/page 1(9) da tenblatt gil t a uch f r t d w 3 h da tasheet also applicable for td w3h
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values freiwerdezeit t vj = t vj max , i tm = 50a t q circuit commutated turn-off time v rm = 100v, v dm = 0,67 v drm d vd /dt = 20v/s, -di t /dt = 10a/s 7. kennbuchstabe / 7th letter o typ. 190 s isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 3,0 kv insulation test voltage rms, f = 50hz, t = 1sec 3,6 kv thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand pro modul / per module, q = 180sin r thjc max. 0,083 c/w thermal resistance, junction to case pro element / per chip, q = 180sin max. 0,500 c/w pro modul / per module, dc max. 0,078 c/w pro element / per chip, dc max. 0,470 c/w bergangs-w?rmewiderstand pro modul / per module r thck max. 0,033 c/w thermal resistance, case to heatsink pro element / per chip max. 0,200 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 125 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+125 c operating temperature lagertemperatur t stg - 40...+130 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-elemente mit l?tkontakt, glaspassiviert si-pellets with soldered contact, glass-passivated innere isolation al 2 o 3 internal insulation anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 6 nm mounting torque anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse toleranz / tolerance +5% / -10% m2 6 nm terminal connection torque gewicht g typ. 300 g weight kriechstrecke 12,5 mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance temperatursensor / temperature sensor nennwiderstand t c = 25c r 25 5 k w rated resistance r 100 = 493 w 5% verlustleistung t c = 25c p 25 max. 20 mw power dissipation khlk?rper / heatsinks : km 11; km 14; km 17; km 33 mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no cha racteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 2(9)
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 3(9) j
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1234567 0,18100 0,25100 0,03520 0,31800 0,03870 0,00109 mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 4(9) [] rcw thn / [] t n s analytische funktion z r e thjc thn t n n n : max =- ? ? ? ? ? - = ? 1 1 t
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle q mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 5(9) 180 sin dc 0,00 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] z thjc [c/w]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperatur t c = f(i rms ) mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 6(9) 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 0 20 40 60 80 100 120 140 160 i rms [a] t c [c]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 differenz zwischen sperrschicht- und sensortemperatur / difference between the values of junction and sensor temperature (t v j - t sensor ) = f(i a / i rms ( tc=85c ) ) i a : anlaufstrom / starting current i rms : effektivstrom (pro phase) / rms current (per arm) mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 7(9) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 i a / i rms(tc=85c) (t vj - t sensor ) [c]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 sensorwiderstand / sensor resistance r sensor = f(t sensor ) mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 8(9) 100 1000 10000 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 t sensor [c] r sensor [ w ]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt w3c 115 n 12...18 (isopack) nw3 gesamtverlustleistung pro modul / total power dissipation per module p tot = f(i rms ) i rms : effektivstrom (pro phase) / rms current (per arm) mod-e1; r. j?rke 09. feb 99 seite/page 9(9) 0 100 200 300 400 500 600 700 0 20 40 60 80 100 120 140 160 i rms [a] p tot [w]
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