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technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values gleichrichterdiode / rectifierdiode periodische spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v rrm 1600 v repetitive peak reverse voltage durchla?strom-grenzeffektivwert (pro element) i frmsm 60 a rms forward current (per chip) ausgangsstrom t c = 100c i d 105 a output current sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t p = 10ms i fsm 650 a surge forward current t vj = t vj max , t p = 10ms 550 a grenzlastintegral t vj = 25c, t p = 10ms i2t 2100 a2s i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 1500 a2s igbt kollektor-emitter-sperrspannung v ces 1200 v collector-emitter voltage kollektor-dauergleichstrom t c = 80c i c 50 a dc-collector current periodischer kollektor-spitzenstrom t p = 1ms i crm 100 a repetitive peak collektor current gesamt-verlustleistung t c = 25c p tot 350 w total power dissipation gate-emitter spitzenspannung v ge 20 v gate-emitter peak voltage schnelle diode / fast diode periodische spitzensperrspannung v rrm 1200 v repetitive peak reverse voltage dauergleichstrom t c = 80c i f 25 a dc forward current periodischer spitzenstrom t p = 1ms i frm 50 a repetitive peak forward current modul isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 2,5 kv insulation test voltage ntc connected to baseplate charakteristische werte / characteristic values gleichrichterdiode / rectifierdiode min. typ. max. durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 100a v f 1,30 v forward voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 0,75 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 5,5 m w forward slope resistance sperrstrom t vj = t vj max, v r = v rrm i r 5 ma reverse current modul leitungswiderstand, anschlsse-chip t c = 25c r aa`+kk` 1 m w lead resistance, terminals-chip prepared by: ralf j?rke date of publication: 13.12.2000 approved by: lothar kleber revision: 1 bip am; r. j?rke 14. dez 00 a 33/00 seite/page 1(12)
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values igbt min. typ. max. kollektor-emitter s?ttigungsspannung t vj = 25c, i c = 50a, v ge = 15v v ce sat 2,10 2,80 v collector-emitter saturation voltage t vj = 125c, i c = 50a, v ge = 15v 2,5 gate-emitter-schwellspannung t vj = 25c, i c = 2ma, v ge = v ce v ge(to) 4,5 5,5 6,5 v gate-emitter threshold voltage eingangskapazit?t t vj = 25c, f 0 = 1mhz, c ies 3,3 nf input capacitance v ce = 25v, v ge = 0v kollektor-emitter reststrom t vj = 25c, v ce = 1200v, v ge = 0v i ces 0,8 1 ma collector-emitter cut-off current t vj = 125c, v ce = 1200v, v ge = 0v 4,0 gate-emitter reststrom t vj = 25c, v ce = 0v, v ge = 20v i ges 500 na gate leakage current emitter-gate reststrom t vj = 25c, v ce = 0v, v eg = 20v i egs 500 na gate-leakage current schnelle diode / fast diode durchla?spannung t vj = 25c, i f = 25a v f 1,7 2,20 v forward voltage t vj = 125c, i f = 25a 1,6 sperrverz?gerungsladung i fm = 25a, -di/dt = 800a/s, v r = 600v q r recovered charge t vj = 25c 2,3 as t vj = 125c 6,0 as thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand gleichrichter / rectifier, q = 120rect r thjc max. 1,08 c/w transistor / transistor, dc max. 0,38 c/w schnelle diode / fast diode, dc max. 1,00 c/w bergangs-w?rmewiderstand gleichrichter / rectifier r thck max. 0,25 c/w thermal resistance, case to heatsink transistor / transistor max. 0,24 c/w schnelle diode / fast diode max. 0,30 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 150 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op - 40...+150 c operating temperature lagertemperatur t stg - 40...+150 c storage temperature bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 2(12)
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 4 case, see appendix page 4 innere isolation al 2 o 3 internal insulation cti 225 v comperative tracking index anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 4 nm mounting torque gewicht g typ. 185 g weight kriechstrecke 12,5 mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance temperatursensor / temperature sensor nennwiderstand t c = 25c r 25 5 k w rated resistance r 100 = 493 w 5% verlustleistung t c = 25c p 25 max. 20 mw power dissipation b-wert r 2 = r 1 exp [b(1/t 1 - 1/t 2 )] b 25/50 3375 k b-value mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 3(12)
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 4(12)
technische information / technical information dd b6u 104 n 16 rr n b6 analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc, netz-diode analytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc, rectifier diode pos. n 1 2 3 4 5 6 7 0,4063 0,3034 0,0497 0,0309 0,0300 0,0190 0,0140 0,0003 14. dez 00 seite/page 5(12) dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt [ ] r c w thn / [ ] t n s ? = - ? ? ? ? ? - = max 1 1 : n n t thn thjc n e r z funktion e analytisch t
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 grenzdurchla?kennlinie / limiting on-state characteristic i f = f(v f ) bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 6(12) tvj = 150c 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 v f [v] i f [a]
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperatur t c = f(i d ) parameter: stromrichterschaltung / converter circuit bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 7(12) b2: 180 sin b6: 120 rect 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 i d [a] t c [c]
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 sperrverz?gerungsladung / recovered charge q r = f(-di/dt) t vj = t vjmax ; v r = 0,5v rrm ; v rm = 0,8v rrm parameter: durchla?strom / on-state current i fm bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 8(12) 5a 20a 50a 200a 10 100 1000 1 10 100 - di/dt [a/s] q r [as]
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 transienter innerer w?rmewiderstand gleichrichter / transient thermal impedance converter z thjc = f(t) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle q bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 9(12) 180 rect 120 rect 60 rect 180 sin dc 0,00 0,20 0,40 0,60 0,80 1,00 1,20 1,40 0,001 0,01 0,1 1 t [s] z thjc [c/w]
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 ausgangskennlinienfeld brems-chopper-igbt (typisch) / output characteristic brake-chopper-igbt (typical) ic = f(vce), v ge = 15v bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 10(12) tvj = 25c tvj = 125c 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 v ce [v] i c [a]
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 durchla?kennlinie der brems-chopper-diode (typisch) / on-state characteristic of brake-chopper-fwd (typical) if = f(vf) bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 11(12) tvj = 25c tvj = 125c 0 10 20 30 40 50 0 0,5 1 1,5 2 2,5 v f [v] i f [a]
technische information / technical information dioden-modul mit chopper-igbt diode module with chopper-igbt dd b6u 104 n 16 rr n b6 ntc-temperaturkennlinie (typisch) / ntc-temperature characteristic (typical) r = f(t) bip am; r. j?rke 14. dez 00 seite/page 12(12) 0,1 1 10 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 t [c] r [k w ]
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