1 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 ulapproved(e83335) primepack?2modulmittrench/feldstoppigbt4,gr??ereremittercontrolled4diode primepack?2modulewithtrench/fieldstopigbt4,enlargedemittercontrolled4diode vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 1200v i c nom = 900a / i crm = 1800a typischeanwendungen typicalapplications ? ? hybrid-nutzfahrzeuge commercialagriculturevehicles elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? erweitertesperrschichttemperaturt vjop extendedoperationtemperaturet vjop ? ? gro?edc-festigkeit highdcstability ? ? hohe kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender kurzschlussstrom high short circuit capability, self limiting short circuitcurrent ? ? niedrigesv cesat lowv cesat ? ? v cesat mitpositivemtemperaturkoeffizienten v cesat withpositivetemperaturecoefficient mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? 4kvac1minisolationsfestigkeit 4kvac1mininsulation ? ? geh?usemitcti>400 packagewithcti>400 ? ? gro?eluft-undkriechstrecken highcreepageandclearancedistances ? ? hohelast-undthermischewechselfestigkeit highpowerandthermalcyclingcapability ? ? hoheleistungsdichte highpowerdensity ? ? substratfrkleinenthermischenwiderstand substrateforlowthermalresistance modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt-chopper/igbt-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c i c nom 900 a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 1800 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 5,10 kw gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 900 a, v ge = 15 v i c = 900 a, v ge = 15 v i c = 900 a, v ge = 15 v v ce sat 1,70 2,00 2,10 2,05 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 33,0 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 6,40 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 1,2 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 54,0 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 2,80 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 5,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,6 w t d on 0,20 0,22 0,22 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,6 w t r 0,14 0,15 0,15 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,6 w t d off 0,70 0,80 0,85 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 900 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,6 w t f 0,20 0,40 0,45 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 900 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v, di/dt = 4800 a/s (t vj = 150c) r gon = 1,6 w e on 50,0 70,0 80,0 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 900 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v, du/dt = 2700 v/s (t vj = 150c) r goff = 1,6 w e off 150 200 205 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 3600 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 29,5 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 16,0 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
3 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode-chopper/diode-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 900 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 1800 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 150 145 ka2s ka2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 900 a, v ge = 0 v i f = 900 a, v ge = 0 v i f = 900 a, v ge = 0 v v f 1,65 1,55 1,50 2,15 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 900 a, - di f /dt = 4800 a/s (t vj =150c) v r = 600 v i rm 560 770 820 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 900 a, - di f /dt = 4800 a/s (t vj =150c) v r = 600 v q r 110 200 225 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 900 a, - di f /dt = 4800 a/s (t vj =150c) v r = 600 v e rec 50,0 90,0 105 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 37,0 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 20,0 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c diode,revers/diode,reverse h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 120 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 240 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 0,17 ka2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 120 a, v ge = 0 v i f = 120 a, v ge = 0 v v f 1,65 1,65 2,15 v v t vj = 25c t vj = 125c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 340 k/kw w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 170 k/kw temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
4 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote. modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 4,0 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 33,0 33,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 19,0 19,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 400 min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 18 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' 0,30 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 150 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm anzugsdrehmomentf.elektr.anschlsse terminalconnectiontorque schraubem4-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm4-mountingaccordingtovalidapplicationnote schraubem8-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm8-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 1,8 8,0 - - 2,1 10 nm nm gewicht weight g 825 g
5 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 180 360 540 720 900 1080 1260 1440 1620 1800 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt-chopper(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt-chopper(typisch) transfercharacteristicigbt-chopper(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 180 360 540 720 900 1080 1260 1440 1620 1800 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt-chopper(typisch) switchinglossesigbt-chopper(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =1.6 w ,r goff =1.6 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 50 100 150 200 250 300 350 400 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c
6 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt-chopper(typisch) switchinglossesigbt-chopper(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =900a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 100 200 300 400 500 600 700 800 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt-chopper transientthermalimpedanceigbt-chopper z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : igbt i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 1,2 0,0008 2 6 0,013 3 20 0,05 4 2,3 0,6 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt-chopper(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt-chopper(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =1.6 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
7 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode-chopper(typisch) switchinglossesdiode-chopper(typical) e rec =f(i f ) r gon =1.6 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode-chopper(typisch) switchinglossesdiode-chopper(typical) e rec =f(r g ) i f =900a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 20 40 60 80 100 120 140 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode-chopper transientthermalimpedancediode-chopper z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/kw] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 z thjc : diode i: r i [k/kw]: t i [s]: 1 3,1 0,0008 2 8,8 0,013 3 24,5 0,05 4 0,6 0,6 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
8 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines
9 technischeinformation/technicalinformation DF900R12IP4DV igbt-module igbt-modules preparedby:ta approvedby:ib dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved.
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