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  1 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 ulapproved(e83335) econopack?4modulmitschnellemtrench/feldstoppigbt4undemittercontrolled4diodeundpressfit /ntc econopack?4modulewithfasttrench/fieldstopigbt4andemittercontrolled4diodeandpressfit/ ntc vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 650v i c nom = 100a / i crm = 200a typischeanwendungen typicalapplications ? ? hochleistungsumrichter highpowerconverters ? ? motorantriebe motordrives ? ? usv-systeme upssystems elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? erweitertesperrschichttemperaturt vjop extendedoperationtemperaturet vjop ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? v cesat mitpositivemtemperaturkoeffizienten v cesat withpositivetemperaturecoefficient mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? 4kvac1minisolationsfestigkeit 4kvac1mininsulation ? ? standardgeh?use standardhousing modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
2 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces  650  v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 70c, t vj max = 175c i c nom  100  a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm  200  a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot  335  w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage  v ges  +/-20  v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 100 a, v ge = 15 v i c = 100 a, v ge = 15 v i c = 100 a, v ge = 15 v v ce sat 1,55 1,70 1,75 1,95 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 1,60 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g  1,10  c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint  2,0  w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies  6,20  nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res  0,19  nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 650 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces   1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges   400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r gon = 3,9 w t d on  0,05 0,06 0,07  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r gon = 3,9 w t r  0,03 0,03 0,04  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r goff = 3,9 w t d off  0,27 0,30 0,32  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 100 a, v ce = 300 v v ge = 15 v r goff = 3,9 w t f  0,18 0,27 0,29  s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 100 a, v ce = 300 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, di/dt = 3350 a/s (t vj = 150c) r gon = 3,9 w e on  0,80 1,30 1,60  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 100 a, v ce = 300 v, l s = 30 nh v ge = 15 v, du/dt = 3300 v/s (t vj = 150c) r goff = 3,9 w e off  3,70 4,90 5,20  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 360 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc  400  a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc   0,45 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,086 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op -40  150 c
3 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm  650  v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent  i f  100  a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm  200  a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t  930 860  a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 100 a, v ge = 0 v i f = 100 a, v ge = 0 v i f = 100 a, v ge = 0 v v f 1,55 1,50 1,45 1,95 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 100 a, - di f /dt = 3350 a/s (t vj =150c) v r = 300 v v ge = -15 v i rm  100 110 120  a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 100 a, - di f /dt = 3350 a/s (t vj =150c) v r = 300 v v ge = -15 v q r  4,45 7,80 9,00  c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 100 a, - di f /dt = 3350 a/s (t vj =150c) v r = 300 v v ge = -15 v e rec  1,15 2,00 2,30  mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc   0,75 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,14 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions  t vj op -40  150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25  5,00  k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5  5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25   20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50  3375  k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80  3411  k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100  3433  k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
4 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol  4,0  kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate    cu   innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140)   al 2 o 3   kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal   15,0 12,5  mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal   11,0 7,0  mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex  cti  > 200   min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch  0,009 k/w modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule  l sce  20  nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee'  1,40  m w lagertemperatur storagetemperature  t stg -40  125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm anzugsdrehmomentf.elektr.anschlsse terminalconnectiontorque schraubem6-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm6-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,0 - 6,0 nm gewicht weight  g  400  g
5 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =3.9 w ,r goff =3.9 w ,v ce =300v i c [a] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c
6 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =100a,v ce =300v r g [ w ] e [mj] 0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 0 2 4 6 8 10 12 14 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 z thjc : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,027 0,01 2 0,1485 0,02 3 0,144 0,05 4 0,1305 0,1 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =3.9 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 100 200 300 400 500 600 700 0 50 100 150 200 250 300 i c , modul ic, chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
7 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =3.9 w ,v ce =300v i f [a] e [mj] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =100a,v ce =300v r g [ w ] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 z thjc : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,045 0,01 2 0,2475 0,02 3 0,24 0,05 4 0,2175 0,1 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
8 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j
9 technischeinformation/technicalinformation FS100R07PE4 igbt-module igbt-modules preparedby:aa approvedby:mk dateofpublication:2013-11-11 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen  dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage  thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j


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